평택 고덕산업단지 내 삼성반도체 공장 전경. (사진=삼성전자 제공]
평택 고덕산업단지 내 삼성반도체 공장 전경. (사진=삼성전자 제공]

삼성전자가 2016년 3분기 48.2% 이후 가장 높은 45.7%의 D램 점유율을 지난해 4분기 기록하며 글로벌 시장 1위 수성에 성공했다.

27일 시장조사업체 옴디아에 따르면 삼성전자의 작년 4분기 D램 점유율은 45.7%로 1위였다. 이는 2016년 3분기(48.2%) 이후 가장 높은 수준이다.

삼성전자는 점유율을 전 분기(38.7%) 대비 7%포인트 늘리며 2위인 SK하이닉스와의 점유율 격차도 14%포인트로 벌렸다.

SK하이닉스의 D램 점유율은 31.7%, 3위 마이크론의 점유율은 19.1%로 각각 집계됐다.

지난해 4분기 D램 평균 가격은 모바일 가격 상승에 힘입어 전분기 대비 12% 상승했으며 출하량은 전분기 대비 16% 증가했다.

매출 상승 주요 요인으로는 DDR5 및 HBM(고대역폭메모리) 매출이 증가한 것이 꼽히고 있다. 지난해 생산량 기준 삼성전자는 사실상 SK하이닉스와 함께 HBM 시장을 양분하고 있다.

업계에서는 올해 말까지 삼성전자의 시장 영향력이 더욱 커질 것으로 예상하고 있다.

삼성전자는 5세대 HBM(HBM3E) 12단 개발 성공을 터닝포인트로 삼고 고용량 HBM 시장 선점에 박차를 가하고 있다.

삼성전자는 HBM 공급 역량을 업계 최고 수준으로 유지하기 위해서 올해 작년 대비 2.5배 이상 생산능력(캐파)을 확보해 운영한다는 계획이다.

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