다나까 귀금속공업 주식회사 는 국립대학법인 큐슈대학교 대학원 공학연구원 응용화학 부문의 오고 세이지 교수와 공동으로 반도체 메모리 DRAM(기억 유지 동작이 필요한, 수시로 쓰기 읽기 가능한 메모리)에 사용되는 케패시터 전극을 기존의 6배 깊이까지 성막 가능한 루테늄 재료 개발에 세계 최초로 성공했다고 밝혔다. 차세대 DRAM의 미세화 기술에 사용되는 MOCVD(유기금속 화학기상 증착법)의 본격 도입에 맞추어 2012년 중에 제품화를 목표로 하고있으며, 이 루테늄 재료는 회로 선폭 20나노(1나노는 10억분의 1)미터 이후의 차세대 DRAM에 사용될 MOCVD의 성막재료(프리커서)로, 40:1이라는 높은 어스펙트비(세공의 깊이와 개구 직경의 비)의 세공 내부에 균일한 루테늄 박막을 형성할 수 있습니다 .  이로써 기존의 6배 깊이까지 케패시터 전극을 제조할 수 있게 되었다 . 각 반도체 제조업체는 20나노미터대의 차세대 반도체를 2012년 중에 양산화할 것으로 예상되고 있어, 이 루테늄 프리커서를 통해 20나노미터 세대 이후의 미세화에 대응할 수 있는케패시터 전극을 제조할 수 있게 되었다고 말했다. 반도체 메모리의 대용량화와 더불어 각 반도체 제조업체는 차세대 DRAM에서의 미세화에 대응하기 위해 메모리 셀을 깊게 하여 케패시터 전극을 입체구조로 만드는 제조방법을 채택할 예정이므로, 입체 전극의 제작방법으로서 MOCVD의 채택이 기대되고 있다.  그러나 기존의 MOCVD용 루테늄 프리커서로는 전극 박막을 형성할 수 있는 세공의 어스펙트비가 최대 6:1이므로, 20나노미터 세대 이후에 필요한 높은 어스펙트비의케패시터 전극을 제조할 수 없다는 점이 기술적인 과제가 되고 있다고 밝혔다.